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Éléments de carbure de silicium de qualité 1500 Éléments de chauffage SiC de 450 mm

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Lieu d'origine: Chine

Nom de marque: SONGYU

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Quantité de commande min: 10 pièces

Prix: Négociable

Détails d'emballage: boîtier en bois

Délai de livraison: 15 jours ouvrables

Conditions de paiement: T/T, Western Union

Capacité d'approvisionnement: L'industrie de l'étincelle (Henan) Co., Ltd.

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Température maximale:	1500°C	Voltage de fonctionnement:	Pour les appareils électroniques
Résistance à la flexion maximale:	50Mpa	Forme:	Forme d'U
Longueur de chauffage de zone:	300 mm	Résistance à 1000°C:	1.2Ω
Diamètre:	12 mm	Matériau de zone chaude:	Carbure de silicium
Longueur:	450 mm	Puissance maximale:	3.5 kW
Matériau de finition à froid:	Disiliciure de molybdène	Conductivité thermique:	150 W/mK
Densité:	³ de 2.7g/cm	Longueur de l'extrémité froide:	150 mm

Température maximale:	1500°C
Voltage de fonctionnement:	Pour les appareils électroniques
Résistance à la flexion maximale:	50Mpa
Forme:	Forme d'U
Longueur de chauffage de zone:	300 mm
Résistance à 1000°C:	1.2Ω
Diamètre:	12 mm
Matériau de zone chaude:	Carbure de silicium
Longueur:	450 mm
Puissance maximale:	3.5 kW
Matériau de finition à froid:	Disiliciure de molybdène
Conductivité thermique:	150 W/mK
Densité:	³ de 2.7g/cm
Longueur de l'extrémité froide:	150 mm

Description de produit

Éléments de chauffage SiC de type G

caractéristiques physiques
Les tiges de carbure de silicium de type G ont une texture dure et fragile, sont résistantes au refroidissement et au chauffage rapides et ne se déforment pas facilement à haute température.Sa conductivité thermique est de 20 kcal/m · h · degré, et son coefficient de dilatation linéaire est de 5 × 10 ^ -6/°C.

stabilité chimique
Après une utilisation prolongée au-dessus de 1000 °C, les tiges de carbure de silicium de type G peuvent réagir avec l'oxygène et la vapeur d'eau, ce qui entraîne une augmentation progressive de la teneur en SiO2 dans les composants et une augmentation lente de la résistance,entraînant le vieillissementL'excès de vapeur d'eau peut favoriser l'oxydation du SiC et réduire la durée de vie des composants.tandis que l'azote peut empêcher l'oxydation du SiC à des températures inférieures à 1200 °C, mais au-dessus de 1350 °C, il réagit avec le SiC et le décompose.

Matériel	Carbure de silicium (SiC)
Forme	Rameau, U, W, H, spirale, etc.
Résistance	1.2Ω à 10Ω
Capacité de charge maximale	30 à 50 W/cm2
Conductivité thermique	120 à 200 W/m·K
Application du projet	Fours industriels et de laboratoire, équipements de traitement thermique, etc.
Densité	20,6 g/cm3
Voltage	Pour les appareils électroniques

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Contacts: Mr. chen

Télégramme: 86-0371-6289-6370

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éléments de chauffe de carbure de silicium,

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8 mm

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